參數(shù)資料
型號: APT50G60BN
英文描述: TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247AD
中文描述: 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五(巴西)國際消費(fèi)電子展| 50A條一(c)|采用TO - 247AD
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代理商: APT50G60BN
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT50GF100BN TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247
APT50M60JNF TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 500V V(BR)DSS | 71A I(D)
APT50M60JVR Volts:500V RDS(ON)0.06Ohms ID(cont):63Amps|MOSFETs
APT50M50PVR Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT50M65LFLL Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS
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參數(shù)描述
APT50GF100BN 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247
APT50GF120B2R 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs.
APT50GF120B2RG 功能描述:IGBT 1200V 135A 781W TMAX RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT50GF120JRD 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:The Fast IGBT⑩ is a new generation of high voltage power IGBTs.
APT50GF120JRDQ3 功能描述:IGBT 1200V 120A 521W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B