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參數(shù)資料
| 型號： | APT40N60B2CFG |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 40 A, 600 V, 0.11 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, T-MAX, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 191K |
| 代理商： | APT40N60B2CFG |
050-7236
Rev
A
5-2005
Typical Performance Curves
APT40N60B2CF(G)_LCF(G)
Scope pics are placed with the place command
and then scaled to 50%
T-MAXTM (B2) Package Outline (B2CF)
TO-264 (L) Package Outline (LCF)
APT’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
Figure 19, Turn-off Switching Waveforms and Denitions
Figure 18, Turn-on Switching Waveforms and Denitions
Drain Current
Drain Voltage
Gate Voltage
T
J125°C
10%
t
d(on)
90%
5%
t
r
5%
10%
APT30DQ60
ID
VDS
D.U.T.
VDD
G
Figure 20, Inductive Switching Test Circuit
T
J125°C
10%
0
t
d(off)
t
f
Switching Energy
90%
Drain Voltage
Gate Voltage
Drain Current
e1 SAC: Tin, Silver, Copper
Switching Energy
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
5.45 (.215) BSC
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Drain
Source
Gate
These dimensions are equal to the TO-247 without the mounting hole.
D
ra
in
2-Plcs.
19.51 (.768)
20.50 (.807)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
0.76 (.030)
1.30 (.051)
3.10 (.122)
3.48 (.137)
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
0.48 (.019)
0.84 (.033)
Drain
Source
Gate
Dimensions in Millimeters and (Inches)
D
ra
in
2.29 (.090)
2.69 (.106)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5.45 (.215) BSC
2-Plcs.
Dimensions in Millimeters and (Inches)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT40N60B2CF | 40 A, 600 V, 0.11 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT40N60LCFG | 40 A, 600 V, 0.11 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
| APT44GA60SD30C | 78 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT44GA60BD30C | 78 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT4540BN-BUTT | 16 A, 450 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT40N60JCU2 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:* |
| APT40N60JCU3 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:* |
| APT40N60LCF | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Super Junction FREDFET |
| APT40N60LCFG | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Super Junction FREDFET |
| APT40SM120B | 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 41A TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:41A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 20A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA（標(biāo)準(zhǔn)） 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:130nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2560pF @ 1000V 功率 - 最大值:273W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
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