參數(shù)資料
型號(hào)： APT40M70B2VFR
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： JFETs
英文描述： 57 A, 400 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： T-MAX, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大?。?/td> 150K
代理商： APT40M70B2VFR
050-5850
Rev
A
3-2006
APT40M70B2_LVFR(G)
1
5 10
50 100
400
.01
.1
1
10
50
0
100
200
300
400
500
600
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
TC=+25°C
TJ=+150°C
SINGLE PULSE
300
100
50
10
5
1
.5
.1
20
16
12
8
4
0
OPERATIONHERE
LIMITEDBYRDS(ON)
TJ=+150°C
TJ =+25°C
Crss
Coss
Ciss
30,000
10,000
5,000
1,000
500
100
200
100
50
10
5
1
VDS=200V
VDS=80V
VDS=320V
I
D = ID [Cont.]
10S
1mS
10mS
100mS
DC
100S
V
DS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
V
DS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE10,MAXIMUMSAFEOPERATINGAREA
FIGURE11,TYPICALCAPACITANCEvsDRAIN-TO-SOURCEVOLTAGE
Qg,TOTALGATECHARGE(nC)
V
SD, SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE12,GATECHARGESvsGATE-TO-SOURCEVOLTAGE
FIGURE13,TYPICALSOURCE-DRAINDIODEFORWARDVOLTAGE
V
GS
,GATE-TO-SOURCE
VOLTAGE
(VOLTS)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
I DR
,REVERSE
DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
C,
CAPACITANCE
(pF)
APT’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
5.45 (.215) BSC
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Drain
Source
Gate
These dimensions are equal to the TO-247 without the mounting hole.
Drain
2-Plcs.
19.51 (.768)
20.50 (.807)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
0.76 (.030)
1.30 (.051)
3.10 (.122)
3.48 (.137)
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
0.48 (.019)
0.84 (.033)
Drain
Source
Gate
Dimensions in Millimeters and (Inches)
Drain
2.29 (.090)
2.69 (.106)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5.45 (.215) BSC
2-Plcs.
Dimensions in Millimeters and (Inches)
T-MAXTM (B2) Package Outline (B2VFR)
TO-264 (L) Package Outline (LVFR)
e1 SAC: Tin, Silver, Copper
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT40M40LVFRG 57 A, 400 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
APT40M70LVFR 57 A, 400 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
APT40M70JVR 53 A, 400 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT40N60LCF 40 A, 600 V, 0.11 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
APT40N60B2CFG 40 A, 600 V, 0.11 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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APT40M70LVFR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS V FREDFET
APT40M70LVFRG 功能描述:MOSFET N-CH 400V 57A TO-264 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS V® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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