參數(shù)資料
型號(hào)： APT40GP60SG
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 98K
代理商： APT40GP60SG
050-7403
Rev
D
2-2004
TJ = 25°C.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
TC=-55°C
TC=125°C
TC=25°C
VCE=480V
VCE=300V
VCE=120V
VGE = 10V.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
VGE = 15V.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
VGE = 15V.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
IC = 40A
TJ = 25°C
TJ = -55°C
TJ = 125°C
TC=-55°C
TC=25°C
TC=125°C
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
BV
CES
,
COLLECTOR-TO-EMITTER
BREAKDOWN
V
CE
,COLLECTOR-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
VOLTAGE
(NORMALIZED)
I C,
DC
COLLECTOR
CURRENT(A)
V
CE
,COLLECTOR-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
V
GE
,GATE-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
APT40GP60B_S
80
70
60
50
40
30
20
10
0
16
14
12
10
8
6
4
2
0
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
IC= 80A
IC= 40A
IC= 20A
IC= 40A
IC= 80A
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
20
40
60
80
100
120
140
6
8
10
12
14
16
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125 150
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
CE
, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
V
CE
, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 1, Output Characteristics(V
GE
= 15V)
FIGURE 2, Output Characteristics (V
GE
= 10V)
V
GE
, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
GATE CHARGE (nC)
FIGURE 3, Transfer Characteristics
FIGURE 4, Gate Charge
V
GE
, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
T
J
, Junction Temperature (°C)
FIGURE 5, On State Voltage vs Gate-to- Emitter Voltage
FIGURE 6, On State Voltage vs Junction Temperature
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
T
C
, CASE TEMPERATURE (°C)
FIGURE 7, Breakdown Voltage vs. Junction Temperature
FIGURE 8, DC Collector Current vs Case Temperature
80
70
60
50
40
30
20
10
0
250
200
150
100
50
0
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
1.2
1.15
1.10
1.05
1.0
0.95
0.9
0.85
0.8
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