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參數(shù)資料
| 型號： | APT40GP60JD1 |
| 英文描述： | Volts:600V VF/Vce(ON):2.7V ID(cont):40Amps|Ultrafast IGBT Family |
| 中文描述： | 電壓：600V的室顫/的Vce（on）：2.7身份證（續(xù)）：四〇安培|超快IGBT的家庭 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 101K |
| 代理商： | APT40GP60JD1 |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT601R6BNR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 7.5A I(D) | TO-247AD |
| APT6035BNR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-247AD |
| APT501R1BNR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 9.5A I(D) | TO-247AD |
| APT4016SN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 31A I(D) | TO-263AB |
| APT4018BNR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 29A I(D) | TO-247AD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT40GP60JDQ2 | 功能描述:IGBT 600V 86A 284W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APT40GP60S | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
| APT40GP60SG | 功能描述:IGBT 600V 100A 543W D3PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT40GP90B | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
| APT40GP90B2DQ2 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
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