參數(shù)資料
型號： APT4014HVR
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
中文描述： 電源MOS V是一個高電壓N新一代通道增強型功率MOSFET。
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 64K
代理商： APT4014HVR
V
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 2, TYPICAL OUTPUT CHARACTERISTICS
V
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 3, TYPICAL OUTPUT CHARACTERISTICS
V
GS
, GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 4, TYPICAL TRANSFER CHARACTERISTICS
I
D
, DRAIN CURRENT (AMPERES)
FIGURE 5, R
DS
(ON) vs DRAIN CURRENT
T
, CASE TEMPERATURE (
°
C)
T
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
FIGURE 7, BREAKDOWN VOLTAGE vs TEMPERATURE
FIGURE 6, MAXIMUM DRAIN CURRENT vs CASE TEMPERATURE
R
D
(
-50
-25
0
25
50
T
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
FIGURE 8, ON-RESISTANCE vs. TEMPERATURE
T
, CASE TEMPERATURE (
°
C)
FIGURE 9, THRESHOLD VOLTAGE vs TEMPERATURE
I
D
,
I
D
,
I
D
,
(
V
G
(
B
D
,
R
D
(
I
D
,
(
V
0
40
80
120
160
200
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
0
10
20
30
40
50
25
50
75
100
125
150
-50
-25
0
25
50
75
100
125 150
75
100
125 150
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
APT4014BVR
I
D
= 0.5 I
D
[Cont.]
V
GS
= 10V
50
40
30
20
10
0
1.25
1.20
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
50
40
30
20
10
0
50
40
30
20
10
0
30
25
20
15
10
5
0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
VGS=10V
VGS=20V
NORMALIZED TO
V
GS
= 10V @ 0.5 I
D
[Cont.]
VD250
μ
SEC. PULSE TEST
@ <0.5 % DUTY CYCLE
TJ = -55
°
C
TJ = +125
°
C
TJ = +125
°
C
TJ = +25
°
C
TJ = -55
°
C
VGS=6V, 7V, 10V & 15V
VGS=15V
6V
VGS=10V
VGS=7V
5.5V
4.5V
5V
4V
5.5V
4.5V
5V
4V
相關PDF資料
PDF描述
APT4015AVR Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT4016BN N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
APT4016BVR ECONOLINE: REC3-S_DRW(Z)/H4,H6 - Safety standards and approval: EN 60950 certified, rated for 250VAV (LVD test report)- Applied for Ul 1950 Component Recognised Certification- 3W DIP Package- 4kVDC & 6kVDC Isolation- Regulated Output- Continuous Short Circiut Protection Auto-Restarting
APT4018BN N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
APT4018HVR Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
APT4014SVFR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS V FREDFET
APT4014SVFRG 功能描述:MOSFET N-CH 400V 28A D3PAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:POWER MOS V® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT4015AVR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT4016BN 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
APT4016BNR 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 31A I(D) | TO-247AD
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*