型號(hào): | APT35M80DN |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | CHIP |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 350V五(巴西)決策支持系統(tǒng)|芯片 |
文件頁數(shù): | 1/2頁 |
文件大?。?/td> | 93K |
代理商: | APT35M80DN |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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APT4007DN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 60A I(D) | CHIP |
APT40-101DN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 25A I(D) | CHIP |
APT4030DN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | CHIP |
APT40M42DN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | CHIP |
APT4523DN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | CHIP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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APT36GA60B | 功能描述:IGBT 600V 65A 290W TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
APT36GA60BD15 | 功能描述:IGBT 600V 65A 290W TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
APT36GA60S | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:High Speed PT IGBT |
APT36GA60SD15 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:High Speed PT IGBT |
APT36N90BC3G | 功能描述:MOSFET N-CH 900V 36A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:CoolMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |