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參數(shù)資料
| 型號： | APT35M80AFN |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 350V V(BR)DSS | 58A I(D) |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET功率模塊|獨立| 350V五（巴西）直| 58A條（?。?/td> |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 434K |
| 代理商： | APT35M80AFN |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT4007FN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 60A I(D) | SIP-TAB |
| APT4025AN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-3 |
| APT4025HN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-258ISO |
| APT4030AN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-3 |
| APT4030BN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 18.5A I(D) | TO-247AD |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT35M80DN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | CHIP |
| APT36GA60B | 功能描述:IGBT 600V 65A 290W TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 8™ 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT36GA60BD15 | 功能描述:IGBT 600V 65A 290W TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 8™ 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT36GA60S | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:High Speed PT IGBT |
| APT36GA60SD15 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:High Speed PT IGBT |
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