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參數(shù)資料
| 型號： | APT35GP120JD2 |
| 英文描述： | Volts:1200V VF/Vce(ON):3.9V ID(cont):29Amps|Ultrafast IGBT Family |
| 中文描述： | 電壓：1200伏室顫/的Vce（on）：均為3.9V編號（續(xù)）：二九安培|超快IGBT的家庭 |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 434K |
| 代理商： | APT35GP120JD2 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT35M42BFN | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 350V V(BR)DSS | 95A I(D) |
| APT35M80AFN | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 350V V(BR)DSS | 58A I(D) |
| APT4007FN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 60A I(D) | SIP-TAB |
| APT4025AN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-3 |
| APT4025HN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-258ISO |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT35GP120JDQ2 | 功能描述:IGBT 1200V 64A 284W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APT35GT120JU2 | 功能描述:IGBT 1200V 35A 260W SOT-227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:Trench + Field Stop IGBT® 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APT35GT120JU3 | 功能描述:IGBT 1200V 55A 260W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APT35M42BFN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 350V V(BR)DSS | 95A I(D) |
| APT35M42DN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | CHIP |
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