參數(shù)資料
型號(hào)： APT35GP120J
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 64 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOTOP-4
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
文件大?。?/td> 95K
代理商： APT35GP120J
050-7409
Rev
D
6-2003
SOT-227
G
E
C
ISOTOP
"UL Recognized"
APT35GP120J
1200V
The POWER MOS 7 IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs.
Using Punch Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency,
high voltage switching applications and has been optimized for high frequency
switchmode power supplies.
Low Conduction Loss
50 kHz operation @ 800V, 14A
Low Gate Charge
20 kHz operation @ 800V, 25A
Ultrafast Tail Current shutoff
RBSOA rated
MAXIMUM RATINGS
All Ratings: TC = 25°C unless otherwise specified.
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.
APT Website - http://www.advancedpower.com
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
MIN
TYP
MAX
1200
3
4.5
6
3.3
3.9
3
250
2500
±100
Characteristic / Test Conditions
Collector-Emitter Breakdown Voltage (VGE = 0V, IC = 250A)
Gate Threshold Voltage
(VCE = VGE, IC = 1mA, Tj = 25°C)
Collector-Emitter On Voltage (VGE = 15V, IC = 35A, Tj = 25°C)
Collector-Emitter On Voltage (VGE = 15V, IC = 35A, Tj = 125°C)
Collector Cut-off Current (VCE = 1200V, VGE = 0V, Tj = 25°C)
2
Collector Cut-off Current (VCE = 1200V, VGE = 0V, Tj = 125°C)
2
Gate-Emitter Leakage Current (VGE = ±20V)
Symbol
BVCES
VGE(TH)
VCE(ON)
ICES
IGES
UNIT
Volts
A
nA
Symbol
VCES
VGE
VGEM
IC1
IC2
ICM
RBSOA
PD
TJ,TSTG
TL
APT35GP120J
1200
±20
±30
64
29
140
140A @ 960V
284
-55 to 150
300
UNIT
Volts
Amps
Watts
°C
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Gate-Emitter Voltage
Gate-Emitter Voltage Transient
Continuous Collector Current @ TC = 25°C
Continuous Collector Current @ TC = 110°C
Pulsed Collector Current 1
@ TC = 25°C
Reverse Bias Safe Operating Area @ TJ = 150°C
Total Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature Range
Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.
G
C
E
POWER MOS 7
IGBT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT35GP120J 64 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT35GT120JU2 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT38N60BC6 38 A, 600 V, 0.099 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT38N60SC6 38 A, 600 V, 0.099 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT4012BVR 37 A, 400 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT35GP120JD2 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Volts:1200V VF/Vce(ON):3.9V ID(cont):29Amps|Ultrafast IGBT Family
APT35GP120JDQ2 功能描述:IGBT 1200V 64A 284W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT35GT120JU2 功能描述:IGBT 1200V 35A 260W SOT-227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:Trench + Field Stop IGBT® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT35GT120JU3 功能描述:IGBT 1200V 55A 260W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT35M42BFN 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 350V V(BR)DSS | 95A I(D)
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