- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄362383 > APT35G60BN TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 35A I(C) | TO-247 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | APT35G60BN |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 35A I(C) | TO-247 |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國際消費電子展| 35A條一（c）|至247 |
| 文件頁數(shù)： | 4/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 434K |
| 代理商： | APT35G60BN |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT35GL60BN | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 35A I(C) | TO-247 |
| APT35GP120B | High reliability part. For price, availability and ordering contact Coilcraft Critical Products, cp@coilcraft.com |
| APT35GP120B2D2 | Volts:1200V VF/Vce(ON):3.9V ID(cont):46Amps|Ultrafast IGBT Family |
| APT35GP120J | Volts:1200V VF/Vce(ON):3.9V ID(cont):29Amps|Ultrafast IGBT Family |
| APT35GP120JD2 | Volts:1200V VF/Vce(ON):3.9V ID(cont):29Amps|Ultrafast IGBT Family |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT35GA90B | 功能描述:IGBT 900V 63A 290W TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 8™ 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT35GA90BD15 | 功能描述:IGBT 900V 63A 290W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT35GA90S | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:High Speed PT IGBT |
| APT35GA90SD15 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:High Speed PT IGBT |
| APT35GL60BN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 35A I(C) | TO-247 |
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