參數(shù)資料
型號: APT3580GN
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 7.5A I(D) | TO-257ISO
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 350V五(巴西)直| 7.5AI(四)|對257ISO
文件頁數(shù): 3/5頁
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代理商: APT3580GN
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT4020AN TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 22.5A I(D) | TO-3
APT4020HN TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 23.5A I(D) | TO-258ISO
APT4040CN TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-254ISO
APT4055AN TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10.5A I(D) | TO-3
APT4055BN TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-247AD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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APT35G60BN 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 35A I(C) | TO-247
APT35GA90B 功能描述:IGBT 900V 63A 290W TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT35GA90BD15 功能描述:IGBT 900V 63A 290W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件