型號: | APT3580GN |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 7.5A I(D) | TO-257ISO |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 350V五(巴西)直| 7.5AI(四)|對257ISO |
文件頁數(shù): | 3/5頁 |
文件大?。?/td> | 434K |
代理商: | APT3580GN |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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APT4020AN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 22.5A I(D) | TO-3 |
APT4020HN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 23.5A I(D) | TO-258ISO |
APT4040CN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-254ISO |
APT4055AN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10.5A I(D) | TO-3 |
APT4055BN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-247AD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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APT35DL120HJ | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD DIODE 1200V SOT-227 |
APT35G50BN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 35A I(C) | TO-247 |
APT35G60BN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 35A I(C) | TO-247 |
APT35GA90B | 功能描述:IGBT 900V 63A 290W TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
APT35GA90BD15 | 功能描述:IGBT 900V 63A 290W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |