參數(shù)資料
型號(hào)： APT30GT60KR
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 64 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 400K
代理商： APT30GT60KR
052-6204
Rev
E
12-2005
APT30GT60KR(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0
Z
θJC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
0.3
D = 0.9
0.7
SINGLE PULSE
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure 19a, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
3,000
1,000
500
100
50
10
120
100
80
60
40
20
0
C,
CAPACITANCE
(
P
F)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
V
CE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
V
CE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
Figure 18,Minimim Switching Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0
100 200
300
400 500
600
700
FIGURE 19b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
5
15
25
35
45
55
65
F
MAX
,OPERATING
FREQUENCY
(kHz)
I
C, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector Current
TJ = 125°C
TC = 75°C
D = 50 %
VCE = 400V
RG = 10
140
50
10
5
1
C
res
0.5
0.1
0.05
F
max
= min (f
max, fmax2)
0.05
f
max1 = t
d(on) + tr + td(off) + tf
P
diss - Pcond
E
on2 + Eoff
f
max2 =
P
diss =
T
J - TC
RθJC
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
Duty Factor D =
t1/t2
t2
t1
P
DM
Note:
C
oes
C
ies
0.0838
0.207
0.209
0.00245
0.00548
0.165
Power
(watts)
Junction
temp. (°C)
RC MODEL
Case temperature. (°C)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT30GT60KRG 64 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
APT30M30JFLL 88 A, 300 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT30M30LFLL 100 A, 300 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
APT30M30B2FLL 100 A, 300 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT30M30B2FLL 100 A, 300 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
APT30GT60KRG 功能描述:IGBT 600V 64A 250W TO220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:Thunderbolt IGBT® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT30M17JFLL 功能描述:MOSFET N-CH 300V 135A SOT-227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:*
APT30M17JLL 功能描述:MOSFET N-CH 300V 135A SOT-227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:*
APT30M17JLL_04 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 R MOSFET
APT30M19JVFR 功能描述:MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:POWER MOS V® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:*
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