型號(hào): | APT30GP60LDL |
廠商: | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
元件分類(lèi): | IGBT 晶體管 |
英文描述: | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
封裝: | ROHS COMPLIANT, TO-264, 3 PIN |
文件頁(yè)數(shù): | 6/8頁(yè) |
文件大小: | 199K |
代理商: | APT30GP60LDL |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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APT30GP60S | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
APT30GP60B | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
APT30GS60BRDL | 54 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
APT30GT60KR | 64 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
APT30GT60KRG | 64 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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APT30GP60LDLG | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:IGBT 600V 100A 463W TO264 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:IGBT 600V 100A TO-264 |
APT30GS60BRDL | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱(chēng):Microsemi Corporation 功能描述:Resonant Mode Combi IGBT |
APT30GS60BRDLG | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - RESONANT MODE - COMBI - Rail/Tube 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
APT30GS60BRDQ2 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱(chēng):Microsemi Corporation 功能描述:Thunderbolt High Speed NPT IGBT with Anti-Parallel DQ Diode |
APT30GS60BRDQ2G | 功能描述:IGBT 600V 54A 250W SOT227 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:Thunderbolt IGBT® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開(kāi)):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |