參數(shù)資料
型號(hào)： APT30GF60JU3
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 58 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOTOP-4
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 476K
代理商： APT30GF60JU3
APT30GF60JU3
A
PT
30G
F60J
U
3–
R
ev
0
A
pr
il
,2004
APT website – http://www.advancedpower.com
2 – 8
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
BVCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
VGE = 0V, IC = 0.25mA
600
V
Tj = 25°C
40
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V
VCE = 600V
Tj = 125°C
1000
A
Tj = 25°C
2.0
2.5
VCE(on)
Collector Emitter on Voltage
VGE =15V
IC = 30A
Tj = 125°C
2.2
2.8
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE, IC = 700A
3
4
5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = ±20V, VCE = 0V
±100
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
1600 1850
Coes
Output Capacitance
150
220
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
90
150
pF
Qg
Total gate Charge
140
210
Qge
Gate – Emitter Charge
10
15
Qgc
Gate – Collector Charge
VGS = 15V
VBus = 300V
IC = 30A
60
90
nC
Td(on)
Turn-on Delay Time
13
26
Tr
Rise Time
41
80
Td(off)
Turn-off Delay Time
147
220
Tf
Fall Time
Resistive Switching (25°C)
VGE = 15V
VBus = 300V
IC = 30A
RG = 10
W
200
400
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
17
30
Tr
Rise Time
28
60
Td(off)
Turn-off Delay Time
242
360
Tf
Fall Time
34
70
ns
Ets
Total switching Losses
Inductive Switching (25°C)
VGE = 15V
VBus = 400V
IC = 30A
RG = 10
W
1.2
2
mJ
Td(on)
Turn-on Delay Time
15
30
Tr
Rise Time
27
50
Td(off)
Turn-off Delay Time
265
400
Tf
Fall Time
41
80
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
0.5
1
Eoff
Turn-off Switching Energy
1
2
Ets
Total switching Losses
Inductive Switching (150°C)
VGE = 15V
VBus = 400V
IC = 30A
RG = 10
W
1.5
3
mJ
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PDF描述
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APT30GP60S 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT30GP60SG 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
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