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參數(shù)資料
| 型號： | APT30G100BN |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 30A I(C) | TO-247AD |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳| 1KV交五（巴西）國際消費(fèi)電子展| 30A條一（c）|采用TO - 247AD |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 53K |
| 代理商： | APT30G100BN |
V
F
, ANODE-TO-CATHODE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2, Forward Voltage Drop vs Forward Current
di
F
/dt, CURRENT SLEW RATE (AMPERES/μSEC)
Figure 3, Reverse Recovery Charge vs Current Slew Rate
di
F
/dt, CURRENT SLEW RATE (AMPERES/μSEC)
Figure 4, Reverse Recovery Current vs Current Slew Rate
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 5, Dynamic Parameters vs Junction Temperature
di
F
/dt, CURRENT SLEW RATE (AMPERES/μSEC)
Figure 6, Reverse Recovery Time vs Current Slew Rate
di
F
/dt, CURRENT SLEW RATE (AMPERES/μSEC)
Figure 7, Forward Recovery Voltage/Time vs Current Slew Rate
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 8, Junction Capacitance vs Reverse Voltage
C
J
,
t
r
,
I
R
,
I
F
,
(
(
(
(
t
f
,
K
f
,
Q
r
,
(
(
(
V
f
,
(
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1000
0
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600
800
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-50
-25
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25
50
75
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0
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600
800
1000
0
200
400
600
800
1000
0.01
0.05
0.1
0.5
1
5
10
50
100
200
APT30D120BCT
100
80
60
40
20
0
50
40
30
20
10
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250
200
150
100
50
0
500
100
50
10
T
J
= 100°C
V
R
= 650V
2400
2000
1600
1200
800
400
0
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0.0
2000
1600
1200
800
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0
100
80
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T
J
=100°C
V
R
=650V
T
J
=100°C
V
R
=650V
T
J
= 100°C
V
R
= 650V
I
F
= 30A
t
rr
I
RRM
Q
rr
T
J
= -55°C
T
J
= 100°C
T
J
= 150°C
15A
30A
60A
15A
30A
60A
60A
30A
15A
0
V
fr
t
fr
T
J
= 25°C
t
rr
Q
rr
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT30GF60BN | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 30A I(C) | TO-247 |
| APT30GL100BN | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 30A I(C) | TO-247 |
| APT30GP60BD1 | Volts:600V VF/Vce(ON):2.7V ID(cont):49Amps|Ultrafast IGBT Family |
| APT30M30JFLL | Volts:300V RDS(ON)0.03Ohms ID(cont):88Amps|FREDFETs ( fast body diode) |
| APT30M30LFLL | Test fixture for 0402 body sizes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT30GF60BN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 30A I(C) | TO-247 |
| APT30GF60JCU2 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:ISOTOP? Boost chopper NPT IGBT SiC chopper diode |
| APT30GF60JU2 | 功能描述:IGBT 600V 58A 192W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APT30GF60JU3 | 功能描述:IGBT 600V 58A 192W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APT30GL100BN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 30A I(C) | TO-247 |
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