參數(shù)資料
型號(hào)： APT30DS60B
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
元件分類： DC/DC變換器
英文描述： REC3-SRW_DRW/H* Series - Econoline Regulated DC-DC Converters; Input Voltage (Vdc): 48V; Output Voltage (Vdc): 09V; Power: 3W; 2kV, 4kVDC & 6kVDC Isolation; Industry Standard 3W DIP24 Package; Feedback Regulated Output; Continuous Short Circuit Protection; Wide Input 2:1 & 4:1; Medical Approvals (4kV/6kV Versions); EN and UL Certificates; 3 Pinout Options, 3 Case Styles; Control Pin Option; Efficiency to 86%
中文描述： 2 - 300V高頻軟恢復(fù)整流二極管系列
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大?。?/td> 63K
代理商： APT30DS60B
PEARSON 411
CURRENT
TRANSFORMER
0.5 IRRM
di
F
/dt Adjust
30μH
D.U.T.
+15v
-15v
0v
Vr
4
3
1
2
5
5
0.75 IRRM
trr/Qrr
Waveform
Zero
6
1
2
3
4
6
di
/dt - Current Slew Rate, Rate of Forward
Current Change Through Zero Crossing.
I
F
- Forward Conduction Current
I
RRM
- Peak Reverse Recovery Current.
trr - Reverse Recovery Time Measured from Point of I
Current Falling Through Zero to a Tangent Line
{
diM/dt
}
Extrapolated Through Zero Defined by 0.75 and 0.50 I
RRM
.
Qrr - Area Under the Curve Defined by I
RRM
and trr.
diM/dt - Maximum Rate of Current Change During the Trailing Portion of trr.
6
Figure 9, Diode Reverse Recovery Test Circuit and Waveforms
Figure 10, Diode Reverse Recovery Waveform and Definitions
Qrr = 1/2
(
trr . I
RRM
)
APT Reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein.
TO-247 Package Outline
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
6.15 (.242) BSC
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
10.90 (.430) BSC
3.50 (.138)
3.81 (.150)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Dimensions in Millimeters and (Inches)
Anode 1
Cathode 2
APT30DS60B
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT30DS60H 2-300V HIGH FREQUENCY SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODES IN SERIES
APT30GP60B POWER MOS 7 IGBT
APT30GT60AR The Thunderbolt IGBT⑩ is a new generation of high voltage power IGBTs.
APT30GT60BR The Thunderbolt IGBT⑩ is a new generation of high voltage power IGBTs.
APT30GT60BRD The Thunderbolt IGBT⑩ is a new generation of high voltage power IGBTs.
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT30DS60B_04 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:2-300V HIGH FREQUENCY SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODES IN SERIES
APT30DS60BG 功能描述:DIODE SERIES 2X20A 600V TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 二極管，整流器 - 陣列 系列:- 其它有關(guān)文件:STTH10LCD06C View All Specifications 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:1µA @ 600V 電流 - 平均整流 (Io)（每個(gè)二極管）:5A 電壓 - (Vr)（最大）:600V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):50ns 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 二極管配置:1 對(duì)共陰極 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:497-10107-2
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APT30F50B 功能描述:MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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