參數(shù)資料
型號: APT30D120BCT
英文描述: Volts:1200V VF/Vce(ON):2.5V ID(cont):30Amps|Fast Recovery Epitaxial Diodes (FREDs)
中文描述: 電壓:1200伏室顫/的Vce(on):2.5V的身份證(續(xù)):三十○安培|快速恢復(fù)外延二極管(FRED)產(chǎn)品
文件頁數(shù): 2/4頁
文件大?。?/td> 53K
代理商: APT30D120BCT
MIN
TYP
MAX
70
85
70
160
255
255
7
12
12
20
660
1640
15
20
245
160
UNIT
ns
Amps
nC
Volts
A/μs
APT30D120BCT
Characteristic
Reverse Recovery Time, I
F
= 1.0A, di
F
/dt
= -15A/μs, V
R
= 30V,
T
J
= 25°C
Reverse Recovery Time
T
J
= 25°C
I
F
= 30A, di
F
/dt
= -240A/μs, V
R
= 650V
T
J
= 100°C
Forward Recovery Time
T
J
= 25°C
I
F
= 30A, di
F
/dt
= 240A/μs, V
R
= 650V
T
J
= 100°C
Reverse Recovery Current
T
J
= 25°C
I
F
= 30A, di
F
/dt
= -240A/μs, V
R
= 650V
T
J
= 100°C
Recovery Charge
T
J
= 25°C
I
F
= 30A, di
F
/dt
= -240A/μs, V
R
= 650V
T
J
= 100°C
Forward Recovery Voltage
T
J
= 25°C
I
F
= 30A, di
F
/dt
= 240A/μs, V
R
= 650V
T
J
= 100°C
Rate of Fall of Recovery Current
T
J
= 25°C
I
F
= 30A, di
F
/dt
= -240A/μs, V
R
= 650V (See Figure 10)
T
J
= 100°C
10
-5
10
-4
10
-3
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
10
-2
10
-1
1.0
10
FIGURE 1, MAXIMUM EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE, JUNCTION-TO-CASE vs PULSE DURATION
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Symbol
t
rr1
t
rr2
t
rr3
t
fr1
t
fr2
I
RRM1
I
RRM2
Q
rr1
Q
rr2
V
fr1
V
fr2
diM/dt
THERMAL AND MECHANICAL CHARACTERISTICS
Characteristic / Test Conditions
Junction-to-Case Thermal Resistance
Junction-to-Ambient Thermal Resistance
Package Weight
Maximum Mounting Torque (Screw Type = 6-32 or 3mm Machine)
Symbol
R
θ
JC
R
θ
JA
W
T
Torque
MIN
TYP
MAX
0.90
40
0.22
6.1
10
1.1
UNIT
°C/W
oz
gm
lbin
Nm
NOTE:
P x Z +
C
J
=
DUTY FACTOR D=t
1 2
PEAK T
P
D
t
2
t
t
1
1.0
0.5
0.1
0.05
0.01
0.005
0.001
D=0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
0
Z
θ
J
,
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT30GP60JD1 Volts:600V VF/Vce(ON):2.7V ID(cont):32Amps|Ultrafast IGBT Family
APT30M17JFLL Volts:300V RDS(ON)0.017Ohms ID(cont):135Amps|FREDFETs ( fast body diode)
APT30M30B2FLL Volts:300V RDS(ON)0.03Ohms ID(cont):100Amps|FREDFETs ( fast body diode)
APT30M45JNR TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 300V V(BR)DSS | 70A I(D)
APT30M50JNR TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 300V V(BR)DSS | 65A I(D)
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參數(shù)描述
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APT30D120BG 功能描述:DIODE ULT FAST 30A 1200V TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)(最大):50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)(最大):1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA,DO-4,接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879
APT30D120S 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
APT30D120SG 功能描述:DIODE ULT FAST 30A 1200V D3PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)(最大):50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)(最大):1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA,DO-4,接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879
APT30D20B 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Switching 200V 30A 2-Pin(2+Tab) TO-247 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RECTIFIER MODULE - FAST RECOVERY/FRED