參數(shù)資料
型號(hào)： APT26GU30K
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 47 A, 300 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大?。?/td> 172K
代理商： APT26GU30K
050-7466
Rev
B
4-2004
APT26GU30K_SA
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
510
15
20
25
30
35
40
45
300
100
50
10
2,000
1,000
500
100
50
10
1
100
80
60
40
20
0
C,
CAPACITANCE
(
P
F)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
F
MAX
,OPERATING
FREQUENCY
(kHz)
VCE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
VCE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
Figure 18, Minimim Switching Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0
50
100
150
200
250
300
350
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector Current
TJ = 125°C
TC = 75°C
D = 50 %
VCE = 200V
RG = 20
Cies
Coes
max
max1
max 2
max1
d(on)
r
d(off )
f
diss
cond
max 2
on2
off
JC
diss
JC
Fmin(f
, f
)
0.05
f
tt
t
PP
f
EE
TT
P
R
θ
=
++
+
=
+
=
Cres
FIGURE 19B, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
0.70
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0
Note:
Duty Factor D = t1/t2
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
t1
t2
P
DM
Z θ
JC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
0.3
0.9
0.7
0.1
0.05
0.5
SINGLE PULSE
RECTANGULARPULSEDURATION(SECONDS)
Figure 19A, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
0.192
0.391
0.0860
0.00537F
0.0342F
0.432F
Power
(watts)
Junction
temp (
°C)
RC MODEL
Case temperature(
°C)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT26GU30KG 47 A, 300 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
APT26GU30SA 47 A, 300 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
APT26GU30K 47 A, 300 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
APT26GU30SA 47 A, 300 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
APT26GU30SAG 47 A, 300 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
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