型號: | APT25GT120SR |
廠商: | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
元件分類: | IGBT 晶體管 |
英文描述: | 54 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
封裝: | D3PAK-3 |
文件頁數(shù): | 3/6頁 |
文件大小: | 0K |
代理商: | APT25GT120SR |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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APT26GU30SA | 47 A, 300 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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APT25SM120S | 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:* 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):25A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):175 毫歐 @ 10A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):72nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:175W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:* 封裝/外殼:* 供應商器件封裝:* 標準包裝:1 |
APT26F120B2 | 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |