參數(shù)資料
型號(hào)： APT25GT120BRG
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 54 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大小： 394K
代理商： APT25GT120BRG
052-6268
Rev
B
12-2005
APT25GT120BR(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
Z
θJC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
0.3
D = 0.9
0.7
SINGLE PULSE
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure 19a, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
3,000
1,000
500
100
50
10
80
70
60
50
40
30
20
10
0
C,
CAPACITANCE
(
P
F)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
V
CE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
V
CE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
Figure 18,Minimim Switching Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0
200
400 600
800 1000 1200 1400
FIGURE 19b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
F
MAX
,OPERATING
FREQUENCY
(kHz)
I
C, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector Current
TJ = 125°C
TC = 75°C
D = 50 %
VCE = 800V
RG = 5
140
50
10
5
1
0.5
0.1
0.05
F
max
= min (f
max, fmax2)
0.05
f
max1 = t
d(on) + tr + td(off) + tf
P
diss - Pcond
E
on2 + Eoff
f
max2 =
P
diss =
T
J - TC
RθJC
C
oes
C
res
C
ies
0.178
0.182
0.0101
0.136
Power
(watts)
RC MODEL
Junction
temp. (°C)
Case temperature. (°C)
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
Duty Factor D =
t1/t2
t2
t1
P
DM
Note:
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT25GT120BR 54 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
APT25GT120SRG 54 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT25GT120BR 54 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AA
APT25GT120SR 54 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT26GU30B 47 A, 300 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
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參數(shù)描述
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APT25M100J_09 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET
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APT25SM120S 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:* 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:25A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:175 毫歐 @ 10A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:72nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:175W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:* 封裝/外殼:* 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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