參數(shù)資料
型號: APT25GP120B
英文描述: Volts:1200V VF/Vce(ON):3.6V ID(cont):25Amps|Ultrafast IGBT Family
中文描述: 電壓:1200伏室顫/的Vce(on):3.6V的身份證(續(xù)):二十五安培|超快IGBT的家庭
文件頁數(shù): 3/4頁
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代理商: APT25GP120B
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT25GP120BD1 Volts:1200V VF/Vce(ON):3.6V ID(cont):25Amps|Ultrafast IGBT Family
APT2X31D50J Super Kit, 0603HC chip inductors, RoHS
APT2X31D80J ARRAY OF INDEPENDENT DIODES|SOT-227B
APT2X31D90J ARRAY OF INDEPENDENT DIODES|SOT-227B
APT2X31S20J Volts:200V VF/Vce(ON):0.95V ID(cont):30Amps|High Voltage Schottky Diodes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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APT25GP120BDQ1G 功能描述:IGBT 1200V 69A 417W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT25GP120BG 功能描述:IGBT 1200V 69A 417W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT25GP90B 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT