參數(shù)資料
型號(hào)： APT22M100JCU3
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 22 A, 1000 V, 0.48 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 109K
代理商： APT22M100JCU3
APT22M100JCU3
APT
22M
100JCU3
–
Rev
0
September
,2009
www.microsemi.com
1- 5
Absolute maximum ratings
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed. See application note
APT0502 on www.microsemi.com
A
S
G
D
ISOTOP
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VDSS
Drain - Source Breakdown Voltage
1000
V
Tc = 25°C
22
ID
Continuous Drain Current
Tc = 80°C
17
IDM
Pulsed Drain current
120
A
VGS
Gate - Source Voltage
±30
V
RDSon
Drain - Source ON Resistance
480
m
Ω
PD
Maximum Power Dissipation
Tc = 25°C
463
W
IAR
Avalanche current (repetitive and non repetitive)
16
A
Application
AC and DC motor control
Switched Mode Power Supplies
Features
Power MOS 8 MOSFET
-
Low RDSon
-
Low input and Miller capacitance
-
Low gate charge
-
Avalanche energy rated
SiC Schottky Diode
-
Zero reverse recovery
-
Zero forward recovery
-
Temperature Independent switching behavior
-
Positive temperature coefficient on VF
ISOTOP
Package (SOT-227)
Very low stray inductance
High level of integration
Benefits
Outstanding performance at high frequency
operation
Stable temperature behavior
Very rugged
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
RoHS Compliant
ISOTOP
Buck chopper
MOSFET + SiC chopper diode
Power module
VDSS = 1000V
RDSon = 400mΩ typ @ Tj = 25°C
ID = 22A @ Tc = 25°C
A
D
G
S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT25GT120BRDL 54 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT26M100JCU2 26 A, 1000 V, 0.396 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT3010BNR 35 A, 300 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
APT30M85BNR 40 A, 300 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
APT30GF60JU2 58 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT23F60B 功能描述:MOSFET N-CH 600V 23A TO-247 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT23F60S 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 600V 23A D3PAK
APT24F50B 功能描述:MOSFET N-CH 500V 24A TO-247 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT24F50B_09 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel FREDFET
APT24F50S 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 500V 24A D3PAK
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*