參數(shù)資料
型號(hào)： APT20M45SVFR
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
中文描述： 電源MOS V是一個(gè)高電壓N新一代通道增強(qiáng)型功率MOSFET。
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 94K
代理商： APT20M45SVFR
DYNAMIC CHARACTERISTICS
APT20M45BVFR
0
Z
θ
J
,
°
C
10
-5
10
-4
10
-3
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
10
-2
10
-1
1.0
10
FIGURE 1, MAXIMUM EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE, JUNCTION-TO-CASE vs PULSE DURATION
0.5
0.1
0.05
0.01
0.005
0.001
Note:
Duty Factor D = t1/t2
Peak TJ = PDM x Z
θ
JC + TC
t1
t2
P
0.1
SINGLE PULSE
0.02
0.05
0.2
D=0.5
0.01
SOURCE-DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS
Characteristic / Test Conditions
Continuous Source Current (Body Diode)
Pulsed Source Current
1
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
2
(V
GS
= 0V, I
S
= -I
D
[Cont.])
Peak Diode Recovery
dv
/
dt 5
Reverse Recovery Time
(I
S
= -I
D
[Cont.],
di
/
dt
= 100A/
μ
s)
Reverse Recovery Charge
(I
S
= -I
D
[Cont.],
di
/
dt
= 100A/
μ
s)
Peak Recovery Current
(I
S
= -I
D
[Cont.],
di
/
dt
= 100A/
μ
s)
Symbol
I
S
I
SM
V
SD
dv
/
dt
t
rr
Q
rr
I
RRM
UNIT
Amps
Volts
V/ns
ns
μ
C
Amps
Symbol
C
iss
C
oss
C
rss
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d
(on)
t
r
t
d
(off)
t
f
Characteristic
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge
3
Gate-Source Charge
Gate-Drain ("Miller") Charge
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
Test Conditions
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
f = 1 MHz
V
GS
= 10V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[Cont.] @ 25
°
C
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[Cont.] @ 25
°
C
R
G
= 1.6
MIN
TYP
4050
980
300
130
30
55
12
14
43
7
MAX
4860
1375
450
195
45
80
24
28
70
14
UNIT
pF
nC
ns
MIN
TYP
MAX
56
224
1.3
5
200
300
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
0.7
2.4
10
18
1
Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction
temperature.
2
Pulse Test: Pulse width < 380
μ
S, Duty Cycle < 2%
3
See MIL-STD-750 Method 3471
4
Starting T
j
=
+25
°
C, L = 0.83mH, R
G
=
25
, Peak I
L
= 56A
5
I
S
≤
-I
D
[Cont.],
di
/
dt
= 100A/
μ
s, V
DD
≤
V
DSS
,
T
j
≤
150
°
C, R
G
= 2.0
,
V
R
= 200V.
APT Reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein.
THERMAL CHARACTERISTICS
Symbol
R
θ
JC
R
θ
JA
MIN
TYP
MAX
0.42
40
UNIT
°
C/W
Characteristic
Junction to Case
Junction to Ambient
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT20M45SVR Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT2X100D100J ULTRAFAST SOFT RECOVERY DUAL RECTIFIER DIODES
APT2X101D100J ULTRAFAST SOFT RECOVERY DUAL RECTIFIER DIODES
APT2X100D120J ULTRAFAST SOFT RECOVERY DUAL RECTIFIER DIODES
APT2X101D120J ULTRAFAST SOFT RECOVERY DUAL RECTIFIER DIODES
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT20M45SVFRG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 56A D3PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS V® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT20M45SVR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT20M45SVRG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 56A D3PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS V® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT20M60BNFR 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-247AD
APT20M60BNR 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-247AD
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