參數(shù)資料
型號(hào): APT20M45JN
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 73A I(D)
中文描述: 晶體管| MOSFET功率模塊|獨(dú)立| 200伏五(巴西)直| 73A條(?。?/td>
文件頁(yè)數(shù): 2/4頁(yè)
文件大小: 194K
代理商: APT20M45JN
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT20M45SNR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 58A I(D) | TO-263AB
APT20M60BNFR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-247AD
APT20M60BNR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-247AD
APT20M11JFLL Volts:200V RDS(ON)0.011Ohms ID(cont):176Amps|FREDFETs ( fast body diode)
APT20M11JLL Volts:200V RDS(ON):0.011Ohms ID(cont:)176Amps|MOSFETs
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參數(shù)描述
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APT20M45SVFR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT20M45SVFRG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 56A D3PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS V® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT20M45SVR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
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