參數(shù)資料
型號： APT20M45BVR
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： JFETs
英文描述： 56 A, 200 V, 0.045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 349K
代理商： APT20M45BVR
050-5514
Rev
D
3
-
2010
Dynamic Characteristics
APT20M45BVR(G)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
C
iss
Input Capacitance
V
GS = 0V
V
DS = 25V
f = 1MHz
4050
4860
pF
C
oss
Output Capacitance
980
1375
C
rss
Reverse Transfer Capacitance
300
450
Q
g
Total Gate Charge 1
V
GS = 10V
V
DD= 0.5VDSS
I
D = ID[cont.]@ 25°C
130
195
Q
ge
Gate-Source Charge
30
45
nC
Q
gd
Gate- Drain ("Miller") Charge
55
80
t
d(on)
Turn-on Delay Time
V
GS = 10V
V
DD= 0.5VDSS
I
D = ID[cont.]@ 25°C
R
G = 1.6Ω
12
24
ns
t
r
Rise Time
14
28
t
d(off)
Turn-off Delay Time
43
70
t
f
Fall Time
714
1 Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction
3 See MIL-STD-750 Method 3471
temperature.
4 Starting T
j = +25°C, L = 830μH, RG = 25Ω, Peak IL = 56A
2 Pulse Test: Pulse width < 380 μS, Duty Cycle < 2%
Microsemi Reserves the right to change, without notice, the specications and information contained herein.
Source-Drain Diode Ratings and Characteristics
Symbol
Characteristic / Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
I
S
Continuous Source Current (Body Diode)
56
Amps
I
SM
Pulse Source Current 1 (Body Diode)
224
V
SD
Diode Forward Voltage 2 (V
GS = 0V, IS= -ID[Cont.])
1.3
Volts
t
rr
Reverse Recovery Time (I
S = -ID[Cont.], dIS/dt = 100A/μs)
280
nS
Q
rr)
Reverse Recovery Time (I
S = -ID[Cont.], dIS/dt = 100A/μs)
3.5
μC
Symbol
Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
R
θJC
Junction to Case
0.42
C °/W
R
θJA
Junction to Ambient
40
Thermal Characteristics
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT20M45SVR 56 A, 200 V, 0.045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT20M45SVR 56 A, 200 V, 0.045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT20N60SC3 20.7 A, 600 V, 0.19 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT20N60SC3 20.7 A, 600 V, 0.19 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT20N60SC3G 20.7 A, 600 V, 0.19 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT20M45BVRG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 56A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS V® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT20M45JN 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 73A I(D)
APT20M45SNR 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 58A I(D) | TO-263AB
APT20M45SVFR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT20M45SVFRG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 56A D3PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS V® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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