參數(shù)資料
型號(hào)： APT20M22JVFR
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Aluminum Electrolytic Radial Leaded Low Profile Capacitor; Capacitance: 1000uF; Voltage: 35V; Case Size: 16x25 mm; Packaging: Bulk
中文描述： 電源MOS V是一個(gè)高電壓N新一代通道增強(qiáng)型功率MOSFET。
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大小： 66K
代理商： APT20M22JVFR
V
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 10, MAXIMUM SAFE OPERATING AREA
V
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 11, TYPICAL CAPACITANCE vs DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE
Q
g
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
, SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 13, TYPICAL SOURCE-DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
FIGURE 12, GATE CHARGES vs GATE-TO-SOURCE VOLTAGE
V
G
,
I
D
,
I
D
,
C
APT20M22LVFR
TO-264 Package Outline
TC =+25
°
C
TJ =+150
°
C
SINGLE PULSE
500
100
50
10
5
1
20
16
12
8
4
0
0
OPERATION HERE
LIMITED BY R
DS
(ON)
TJ =+150
°
C
TJ =+25
°
C
Crss
19.51 (.768)
20.50 (.807)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
0.76 (.030)
1.30 (.051)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
3.10 (.122)
3.48 (.137)
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
3.00 (.118)
0.48 (.019)
2.59 (.102)
Drain
Source
Gate
Dimensions in Millimeters and (Inches)
D
2.29 (.090)
2.69 (.106)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
5.45 (.215) BSC
2-Plcs.
APT's devices are covered by one or more of the following U.S.patents: 4,895,810
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
5,262,336
5,528,058
5,256,583
1
5
10
50
100
200
.01
.1
1
10
50
0
100
200
300
400
500
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Coss
Ciss
30,000
10,000
5,000
1,000
500
100
400
100
50
10
5
1
VDS=100V
VDS=40V
VDS=160V
I
D
= I
D
[Cont.]
10
μ
S
1mS
10mS
100mS
DC
100
μ
S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT20M22LVR Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT20M26WVR Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT20M34BFLL Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
APT20M34BLL Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
APT20M34SFLL Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT20M22JVR 功能描述:MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:POWER MOS V® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:*
APT20M22JVRU2 功能描述:MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:*
APT20M22JVRU3 功能描述:MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:*
APT20M22LVFR 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT20M22LVFRG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 100A TO-264 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS V® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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