參數(shù)資料
型號(hào)： APT20M22B2VFR
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
中文描述： 電源MOS V是一個(gè)高電壓N新一代通道增強(qiáng)型功率MOSFET。
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 64K
代理商： APT20M22B2VFR
V
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 10, MAXIMUM SAFE OPERATING AREA
V
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 11, TYPICAL CAPACITANCE vs DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE
Q
g
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
, SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 13, TYPICAL SOURCE-DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
FIGURE 12, GATE CHARGES vs GATE-TO-SOURCE VOLTAGE
V
G
,
I
D
,
I
D
,
C
1
5
10
50
100
200
.01
.1
1
10
50
0
100
200
300
400
500
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
APT20M22B2VFR
TC =+25
°
C
TJ =+150
°
C
SINGLE PULSE
500
100
50
10
5
1
20
16
12
8
4
0
0
OPERATION HERE
LIMITED BY R
DS
(ON)
TJ =+150
°
C
TJ =+25
°
C
Crss
Coss
Ciss
30,000
10,000
5,000
1,000
500
100
400
100
50
10
5
1
VDS=100V
VDS=40V
VDS=160V
I
D
= I
D
[Cont.]
10
μ
S
1mS
10mS
100mS
DC
100
μ
S
T-MAX Package Outline
5
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
Gate
1.01 (.040)
1.40 (.055)
5.45 (.215) BSC
2-Plcs.
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Drain
Source
Dimensions in Millimeters and (Inches)
D
APT's devices are covered by one or more of the following U.S.patents: 4,895,810
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
5,262,336
5,528,058
5,256,583
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT20M22B2VR Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT20M22LVFR Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT20M22JVFR Aluminum Electrolytic Radial Leaded Low Profile Capacitor; Capacitance: 1000uF; Voltage: 35V; Case Size: 16x25 mm; Packaging: Bulk
APT20M22LVR Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT20M26WVR Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT20M22B2VFRG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS V® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT20M22B2VR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT20M22B2VRG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS V® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT20M22JVFR 功能描述:MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:POWER MOS V® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:*
APT20M22JVR 功能描述:MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:POWER MOS V® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:*
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*