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參數(shù)資料
| 型號： | APT20GT60BRDQ1 |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 43 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| 封裝： | TO-247, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 9/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 428K |
| 代理商： | APT20GT60BRDQ1 |
052-6265
Rev
B
12-2005
APT20GT60BRDQ1(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
4
3
1
2
5
Zero
1
2
3
4
diF/dt - Rate of Diode Current Change Through Zero Crossing.
IF - Forward Conduction Current
IRRM - Maximum Reverse Recovery Current.
trr - Reverse Recovery Time, measured from zero crossing where diode
Qrr - Area Under the Curve Defined by IRRM and trr.
current goes from positive to negative, to the point at which the straight
line through IRRM and 0.25 IRRM passes through zero.
Figure 32. Diode Test Circuit
Figure 33, Diode Reverse Recovery Waveform and Definitions
0.25 IRRM
PEARSON 2878
CURRENT
TRANSFORMER
diF/dt Adjust
30H
D.U.T.
+18V
0V
Vr
trr/Qrr
Waveform
TO-247 Package Outline
e1 SAC: Tin, Silver, Copper
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
6.15 (.242) BSC
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
5.45 (.215) BSC
3.55 (.138)
3.81 (.150)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Dimensions in Millimeters and (Inches)
2-Plcs.
Collector
(Cathode)
Emitter
(Anode)
Gate
Collector (Cathode)
APT’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
APT6017LLL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT20GT60BRDQ1G | 43 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT20GT60BRG | 43 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT20GT60BR | 43 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT20M10JFLL | 185 A, 200 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT20M10JLL | 180 A, 200 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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