參數(shù)資料
型號： APT15GT60BRD
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 30 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 109K
代理商： APT15GT60BRD
052-6250
Rev
B
1-2002
APT15GT60BRD
Symbol
Cies
Coes
Cres
Qg
Qge
Qgc
td(on)
tr
td(off)
tf
td(on)
tr
td(off)
tf
Eon
Eoff
Ets
td(on)
tr
td(off)
tf
Ets
gfe
DYNAMIC CHARACTERISTICS
UNIT
°C/W
oz
gm
lbin
Nm
MIN
TYP
MAX
1.0
2.0
40
0.22
6.1
10
1.1
Characteristic
Junction to Case (IGBT)
Junction to Case (FRED)
Junction to Ambient
Package Weight
Mounting Torque (Mounting = 8-32 or 4mm Machine and Terminals = 4mm Machine)
Symbol
RΘJC
RΘJA
WT
Torque
THERMAL AND MECHANICAL CHARACTERISTICS
Test Conditions
Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1 MHz
Gate Charge
VGE = 15V
VCC = 0.5VCES
IC = IC2
Resistive Switching (25°C)
VGE = 15V
VCC = 0.5VCES
IC = IC2
RG = 10
Inductive Switching (150°C)
VCLAMP(Peak) = 0.66VCES
VGE = 15V
IC = IC2
RG = 10
TJ = +150°C
Inductive Switching (25°C)
VCLAMP(Peak) = 0.66VCES
VGE = 15V
IC = IC2
RG = 10
TJ = +25°C
VCE = 20V, IC = IC2
MIN
TYP
MAX
810
930
130
190
52
90
74
110
5.2
10
34
50
920
27
50
92
140
123
250
11
21
13
30
110
170
148
300
160
320
465
930
625
1250
11
20
13
30
91
140
67
130
395
790
3
UNIT
pF
nC
ns
J
ns
J
S
Characteristic
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge 3
Gate-Emitter Charge
Gate-Collector ("Miller ") Charge
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
Turn-on Switching Energy 4
Turn-off Switching Energy
Total Switching Losses 4
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
Total Switching Losses 4
Forward Transconductance
1
Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.
2
Leakages include the FRED and IGBT.
3
See MIL-STD-750 Method 3471
4
Switching losses include the FRED and IGBT.
APT Reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT20GF120BR 32 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
APT20GN60K 63 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
APT20GT60BRDQ1 43 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
APT20GT60BRDQ1G 43 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
APT20GT60BRG 43 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT15GT60BRDQ1 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Thunderbolt IGBT
APT15GT60BRDQ1G 功能描述:IGBT 600V 42A 184W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:Thunderbolt IGBT® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT15GT60BRG 功能描述:IGBT 600V 42A 184W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:Thunderbolt IGBT® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT15GT60KR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:The Thunderbolt IGBT⑩ is a new generation of high voltage power IGBTs.
APT15GT60KRG 功能描述:IGBT 600V 42A 184W TO220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:Thunderbolt IGBT® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*