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參數(shù)資料
| 型號： | APT15GP60B |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| 封裝： | TO-247, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 265K |
| 代理商： | APT15GP60B |
050-7413
Rev
C
5-2006
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
APT15GP60B_S
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0
Note:
Duty Factor D = t1/t2
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
t1
t2
P
DM
Z θ
JC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
0.3
0.9
0.7
0.1
0.05
0.5
SINGLE PULSE
RECTANGULARPULSEDURATION(SECONDS)
Figure 19A, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
4,000
1,000
500
100
50
10
70
60
50
40
30
20
10
0
C,
CAPACITANCE
( P
F)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
VCE,COLLECTOR-TO-EMITTERVOLTAGE(VOLTS)
VCE,COLLECTORTOEMITTERVOLTAGE
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
Figure 18, Minimim Switching Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0
100
200
300
400
500
600
700
Cies
Coes
max
max1
max 2
max1
d(on)
r
d(off )
f
diss
cond
max 2
on2
off
JC
diss
JC
Fmin(f
, f
)
0.05
f
tt
t
PP
f
EE
TT
P
R
θ
=
++
+
=
+
=
Cres
FIGURE 19B, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
5
1015 20
2530
35
40
45
50
292
100
50
10
F
MAX
,OPERATING
FREQUENCY
(kHz)
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector Current
TJ = 125°C
TC = 75°C
D = 50 %
VCE = 400V
RG = 5
0.216
0.284
0.0060
0.161
Dissipated Power
(Watts)
T
J (C)
T
C (C)
Z
EXT are the external thermal
impedances: Case to sink,
sink to ambient, etc. Set to
zero when modeling only
the case to junction.
Z
EXT
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT15GP60S | 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT15GP60KG | 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| APT15GP60K | 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| APT15GP60K | 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| APT15GP90B | 43 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT15GP60BDF1 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
| APT15GP60BDL | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Resonant Mode Combi IGBT |
| APT15GP60BDLG | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - RESONANT MODE - COMBI - Rail/Tube 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:IGBT 600V 56A TO-247 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:IGBT 600V 56A 250W TO247 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APT15GP60BDQ1 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
| APT15GP60BDQ1G | 功能描述:IGBT 600V 56A 250W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
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