參數(shù)資料
型號(hào)： APT15GN120K
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 45 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大?。?/td> 192K
代理商： APT15GN120K
050-7599
Rev
B
10-2005
APT15GN120K(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
0.70
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0
Z
θJC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
0.3
D = 0.9
0.7
SINGLE PULSE
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure 19a, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
2,000
1,000
500
100
50
10
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
C,
CAPACITANCE
(
P
F)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
V
CE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
V
CE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
Figure 18,Minimim Switching Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0
200 400
600
800 1000 1200 1400
0.5
0.1
0.05
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
Duty Factor D =
t1/t2
t2
t1
P
DM
Note:
C
ies
C
res
FIGURE 19b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
0
5
10
15
20
25
30
F
MAX
,OPERATING
FREQUENCY
(kHz)
I
C, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector Current
TJ = 125°C
TC = 75°C
D = 50 %
VCE = 800V
RG = 4.3
140
100
50
10
6
F
max
= min (f
max, fmax2)
0.05
f
max1 = t
d(on) + tr + td(off) + tf
P
diss - Pcond
E
on2 + Eoff
f
max2 =
P
diss =
T
J - TC
RθJC
0.323
0.258
0.0600
0.00192
0.0312
0.389
Power
(watts)
Junction
temp. (°C)
RC MODEL
Case temperature. (°C)
C
oes
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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APT15GN120SDQ1 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:High Speed PT IGBT
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