- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄36706 > APT13GP120BDF1 41 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APT13GP120BDF1 |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 41 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| 封裝： | TO-247, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/9頁(yè) |
| 文件大小： | 194K |
| 代理商： | APT13GP120BDF1 |
050-7414
Rev
D
2-2004
APT13GP120BDF1
Characteristic / Test Conditions
Maximum Average Forward Current (T
C = 90°C, Duty Cycle = 0.5)
RMS Forward Current (Square wave, 50% duty)
Non-Repetitive Forward Surge Current (T
J = 45°C, 8.3ms)
Symbol
I
F(AV)
I
F(RMS)
I
FSM
Symbol
V
F
Characteristic / Test Conditions
I
F = 13A
Forward Voltage
I
F = 26A
I
F = 13A, TJ = 125°C
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
UNIT
Amps
UNIT
Volts
MIN
TYP
MAX
3.1
3.7
2.3
APT13GP120BDF1
15
22
110
DYNAMIC CHARACTERISTICS
MAXIMUM RATINGS
All Ratings: TC = 25°C unless otherwise specified.
MIN
TYP
MAX
-
36
-
280
-
270
-3
-
390
-
1000
-6
-
150
-
1500
-20
UNIT
ns
nC
Amps
ns
nC
Amps
ns
nC
Amps
Characteristic
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Reverse Recovery Time
Maximum Reverse Recovery Current
Symbol
t
rr
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
Test Conditions
I
F = 15A, diF/dt = -200A/s
V
R = 800V, TC = 25°C
I
F = 15A, diF/dt = -200A/s
V
R = 800V, TC = 125°C
I
F = 15A, diF/dt = -1000A/s
V
R = 800V, TC = 125°C
I
F = 1A, diF/dt = -100A/s, VR = 30V, TJ = 25°C
Z θ
JC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
RECTANGULAR PULSE DURATION (seconds)
FIGURE 25a. MAXIMUM EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE, JUNCTION-TO-CASE vs. PULSE DURATION
1.20
1.00
0.80
0.60
0.40
0.20
0
Note:
Duty Factor D = t1/t2
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
t1
t2
P
DM
0.5
SINGLE PULSE
0.1
0.3
0.7
0.9
0.05
0.676
°C/W
0.504
°C/W
0.00147 J/
°C
0.0440 J/
°C
Power
(watts)
RC MODEL
Junction
temp(
°C)
Case temperature(
°C)
FIGURE 25b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
APT Reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein.
ULTRAFAST SOFT RECOVERY ANTI-PARALLEL DIODE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT13GP120BDQ1G | 41 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT13GP120BDQ1G | 41 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT13GP120BDQ1 | 41 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT13GP120BDQ1 | 41 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT150GN60JDQ4 | 220 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT13GP120BDQ1 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
| APT13GP120BDQ1G | 功能描述:IGBT 1200V 41A 250W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT13GP120BG | 功能描述:IGBT 1200V 41A 250W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT13GP120K | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
| APT13GP120KG | 功能描述:IGBT 1200V 41A 250W TO220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。