參數(shù)資料
型號： APT12GT60KRG
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 25 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
封裝： ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/6頁
文件大小： 391K
代理商： APT12GT60KRG
052-6201
Rev
E
12-2005
APT12GT60KR(G)
APT15DQ60
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Denitions
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Denitions
T
J = 125°C
Collector Current
Collector Voltage
Gate Voltage
Switching Energy
5%
10%
t
d(on)
90%
10%
t
r
T
J = 125°C
Collector Voltage
Collector Current
Gate Voltage
Switching Energy
0
90%
t
d(off)
10%
t
f
90%
IC
A
D.U.T.
VCE
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
VCC
APT’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
Emitter
10.66 (.420)
9.66 (.380)
5.33 (.210)
4.83 (.190)
14.73 (.580)
12.70 (.500)
1.01 (.040) 3-Plcs.
0.83 (.033)
2.79 (.110)
2.29 (.090)
4.82 (.190)
3.56 (.140)
1.39 (.055)
0.51 (.020)
4.08 (.161) Dia.
3.54 (.139)
Dimensions in Millimeters and (Inches)
Gate
Collector
6.85 (.270)
5.85 (.230)
1.77 (.070) 3-Plcs.
1.15 (.045)
2.92 (.115)
2.04 (.080)
3.42 (.135)
2.54 (.100)
0.50 (.020)
0.41 (.016)
5.33 (.210)
4.83 (.190)
Drain
12.192 (.480)
9.912 (.390)
3.683 (.145)
MAX.
TO-220 (K) Package Outline
e3 100% Sn
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT12GT60KR 25 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
APT130N65JC6 130 A, 650 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT13GP120B 41 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT13GP120B 41 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT13GP120SG 41 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-268AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT12M80B 功能描述:MOSFET N-CH 800V 13A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT12M80S 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET
APT13003D 制造商:BCDSEMI 制造商全稱:BCD Semiconductor Manufacturing Limited 功能描述:HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
APT13003DI-G1 制造商:BCDSEMI 制造商全稱:BCD Semiconductor Manufacturing Limited 功能描述:HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
APT13003DU-G1 制造商:BCDSEMI 制造商全稱:BCD Semiconductor Manufacturing Limited 功能描述:HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
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