參數(shù)資料
型號(hào)： APT12060B2VFR
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： JFETs
英文描述： 20 A, 1200 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TMAX, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 121K
代理商： APT12060B2VFR
V
GS
,GATE-TO-SOURCE
VOLTAGE
(VOLTS)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
I DR
,REVERSE
DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
C,
CAPACITANCE
(pF)
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
5.45 (.215) BSC
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Drain
Source
Gate
These dimensions are equal to the TO-247 without the mounting hole.
Drain
2-Plcs.
19.51 (.768)
20.50 (.807)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
0.76 (.030)
1.30 (.051)
3.10 (.122)
3.48 (.137)
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
0.48 (.019)
0.84 (.033)
Drain
Source
Gate
Dimensions in Millimeters and (Inches)
Drain
2.29 (.090)
2.69 (.106)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5.45 (.215) BSC
2-Plcs.
Dimensions in Millimeters and (Inches)
T-MAXTM (B2) Package Outline
TO-264 (L) Package Outline
050-5845
Rev
A
4-2004
V
DS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
V
DS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 10, MAXIMUM SAFE OPERATING AREA
FIGURE 11, CAPACITANCE vs DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
SD, SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 12, GATE CHARGE vs GATE-TO-SOURCE VOLTAGE
FIGURE 13, SOURCE-DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
10mS
1mS
100S
TC =+25°C
TJ =+150°C
SINGLE PULSE
OPERATION HERE
LIMITED BY RDS (ON)
Crss
Ciss
Coss
1
5
10
50 100
500 1200
.01
.1
1
10
50
0
100
200
300
400
500
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
80
50
10
5
1
12
10
8
6
4
2
0
VDS=250V
VDS=100V
VDS=400V
I
D = ID [Cont.]
40,000
10,000
5,000
1,000
500
100
200
100
50
10
5
1
TJ =+150°C
TJ =+25°C
APT12060B2VFR_LVFR
APT’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT12060LVFRG 20 A, 1200 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
APT12060LVFR 20 A, 1200 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
APT12067JFLL 17 A, 1200 V, 0.67 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT12067JFLL 17 A, 1200 V, 0.67 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT12067JLL 17 A, 1200 V, 0.67 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
APT12060B2VFRG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 20A T-MAX RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS V® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT12060B2VR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT12060LVFR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS V
APT12060LVFRG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 20A TO-264 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS V® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT12060LVR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
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