參數(shù)資料
型號(hào)： APT11N80BC3
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： JFETs
英文描述： 11 A, 800 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大?。?/td> 162K
代理商： APT11N80BC3
050-7136
Rev
B
4-2004
APT11N80BC3
Typical Performance Curves
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
6.15 (.242) BSC
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Drain
Source
Gate
5.45 (.215) BSC
Dimensions in Millimeters and (Inches)
2-Plcs.
TO-247 Package Outline
APT’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
Figure 18, Turn-on Switching Waveforms and Definitions
Figure 19, Turn-off Switching Waveforms and Definitions
IC
D.U.T.
APT15DF60B
VCE
Figure 20, Inductive Switching Test Circuit
VDD
G
10%
5% 10%
t
d(on)
t
r
90%
Collector Current
Collector Voltage
Gate Voltage
T
J = 125 C
5 %
Switching Energy
TJ = 125 C
90%
t
d(off)
0
t
f
90%
10%
Gate Voltage
Collector Current
Collector Voltage
Switching Energy
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT1201R2BFLL 12 A, 1200 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT1201R2SFLL 12 A, 1200 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT1201R2SFLL 12 A, 1200 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT1201R2BFLL 12 A, 1200 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT1201R2BFLLG 12 A, 1200 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
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參數(shù)描述
APT11N80BC3G 功能描述:MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT11N80KC3 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Super Junction MOSFET
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APT1201R2BFLLG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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