參數(shù)資料
型號(hào)： APT10M25BVR
元件分類： JFETs
英文描述： 75 A, 100 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大?。?/td> 65K
代理商： APT10M25BVR
V
DS
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
V
DS
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 10, MAXIMUM SAFE OPERATING AREA
FIGURE 11, TYPICAL CAPACITANCE vs DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
SD
, SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 12, GATE CHARGES vs GATE-TO-SOURCE VOLTAGE
FIGURE 13, TYPICAL SOURCE-DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
V
GS
,GATE-TO-SOURCE
VOLTAGE
(VOLTS)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
I DR
,REVERSE
DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
C,
CAPACITANCE
(pF)
1
5
10
50
100
.01
.1
1
10
50
0
50
100
150
200
250
300
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
APT10M25BVR
050-5513
Rev
A
TC =+25°C
TJ =+150°C
SINGLE PULSE
400
100
50
10
5
1
20
16
12
8
4
0
OPERATION HERE
LIMITED BY RDS (ON)
Crss
Coss
Ciss
100
S
10mS
100mS
DC
1mS
TJ =+150°C
TJ =+25°C
Coss
Ciss
VDS=50V
VDS=20V
VDS=80V
I
D
= I
D
[Cont.]
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
6.15 (.242) BSC
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Drain
Source
Gate
5.45 (.215) BSC
Dimensions in Millimeters and (Inches)
2-Plcs.
APT's devices are covered by one or more of the following U.S.patents: 4,895,810
5,045,903
5,089,434
5,182,234
5,019,522
5,262,336
5,256,583
4,748,103
5,283,202
5,231,474
5,434,095
5,528,058
TO-247 Package Outline
15,000
10,000
5,000
1,000
500
100
200
100
50
10
5
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT10M25SVR 75 A, 100 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT10M25SVR 75 A, 100 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT10M30AVR 65 A, 100 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE
APT10M30BNFR-BUTT 67 A, 100 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT10M30BNFR-GULLWING 67 A, 100 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
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參數(shù)描述
APT10M25BVRG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 75A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS V® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT10M25SNR 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB
APT10M25SVR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs
APT10M25SVRG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MOSFET - MOS5 - Rail/Tube
APT10M30AVR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
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