參數(shù)資料
型號(hào): APT10M25BVR
廠商: Advanced Power Technology Ltd.
英文描述: Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
中文描述: 電源MOS V是一個(gè)高電壓N新一代通道增強(qiáng)型功率MOSFET。
文件頁(yè)數(shù): 1/2頁(yè)
文件大小: 93K
代理商: APT10M25BVR
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT1101R2BFLL Volts:1100V RDS(ON)1.2Ohms ID(cont):10Amps|FREDFETs ( fast body diode)
APT1101R2SFLL Volts:1100V RDS(ON)1.2Ohms ID(cont):10Amps|FREDFETs ( fast body diode)
APT1101RBFLL Volts:1100V RDS(ON)1Ohms ID(cont):13Amps|FREDFETs ( fast body diode)
APT1101RSFLL Volts:1100V RDS(ON)1Ohms ID(cont):13Amps|FREDFETs ( fast body diode)
APT11044B2FLL Volts:1100V RDS(ON)0.44Ohms ID(cont):26Amps|FREDFETs ( fast body diode)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT10M25BVRG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 75A TO-247 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS V® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT10M25SNR 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB
APT10M25SVR 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs
APT10M25SVRG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MOSFET - MOS5 - Rail/Tube
APT10M30AVR 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.