參數(shù)資料
型號(hào)： APT10M19BVR
元件分類： JFETs
英文描述： 75 A, 100 V, 0.019 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 67K
代理商： APT10M19BVR
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Symbol
C
iss
C
oss
C
rss
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Test Conditions
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
f = 1 MHz
V
GS
= 10V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= 0.5 I
D[Cont.]
@ 25
°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D[Cont.]
@ 25
°C
R
G
= 1.6
MIN
TYP
MAX
5100
6120
1900
2660
800
1200
200
300
40
60
92
180
16
32
40
50
75
20
40
UNIT
pF
nC
ns
APT10M19BVR
Characteristic
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge 3
Gate-Source Charge
Gate-Drain ("Miller ") Charge
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
050-5500
Rev
C
SOURCE-DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS
UNIT
Amps
Volts
ns
C
MIN
TYP
MAX
75
300
1.3
200
1.4
THERMAL CHARACTERISTICS
Symbol
RθJC
RθJA
MIN
TYP
MAX
0.34
40
UNIT
°C/W
Characteristic
Junction to Case
Junction to Ambient
Z
θJC
,THERMAL
IMPEDANCE
(
°C/W)
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
10
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
FIGURE 1, MAXIMUM EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE, JUNCTION-TO-CASE vs PULSE DURATION
0.4
0.1
0.05
0.01
0.005
0.001
Note:
Duty Factor D =
t1/t
2
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
t1
t2
P
DM
0.1
SINGLE PULSE
0.02
0.05
0.2
D=0.5
0.01
Symbol
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
1 Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum Tj
4 Starting Tj = +25°C, L = 0.53mH, RG = 25, Peak IL = 75A
2 Pulse Test: Pulse width < 380
S, Duty Cycle < 2%
5 The maximum current is limited by lead temperature.
3 See MIL-STD-750 Method 3471
APT Reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein.
Characteristic / Test Conditions
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current 1 5 (Body Diode)
Diode Forward Voltage 2 (V
GS
= 0V, I
S
= -I
D[Cont.]
)
Reverse Recovery Time (I
S
= -I
D[Cont.]
, dl
S
/dt = 100A/
s)
Reverse Recovery Charge (I
S
= -I
D[Cont.]
, dl
S
/dt = 100A/
s)
5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT10M19BVR 75 A, 100 V, 0.019 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT10M19SVR 75 A, 100 V, 0.019 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT10M19SVR 75 A, 100 V, 0.019 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT10M25BNR-GULLWING 75 A, 100 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT10M30BNR-BUTT 67 A, 100 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
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參數(shù)描述
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APT10M19SVFR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS V FREDFET
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APT10M19SVR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
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