參數資料
型號： APT10M19BVR
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
中文描述： 電源MOS V是一個高電壓N新一代通道增強型功率MOSFET。
文件頁數： 4/4頁
文件大?。?/td> 74K
代理商： APT10M19BVR
V
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 10, MAXIMUM SAFE OPERATING AREA
V
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 11, TYPICAL CAPACITANCE vs DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE
Q
g
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
, SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 13, TYPICAL SOURCE-DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
FIGURE 12, GATE CHARGES vs GATE-TO-SOURCE VOLTAGE
V
G
,
I
D
,
I
D
,
C
APT10M19BVFR
0
TC =+25
°
C
TJ =+150
°
C
SINGLE PULSE
300
100
50
10
5
1
20
16
12
8
4
0
OPERATION HERE
LIMITED BY R
DS
(ON)
Crss
Coss
Ciss
100
μ
S
10mS
100mS
DC
1mS
TJ =+150
°
C
TJ =+25
°
C
Coss
Ciss
VDS=50V
VDS=20V
VDS=80V
I
D
= 0.5 I
D
[Cont.]
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
6.15 (.242) BSC
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
D
Drain
Source
Gate
5.45 (.215) BSC
2-Plcs.
Dimensions in Millimeters and (Inches)
APT's devices are covered by one or more of the following U.S.patents: 4,895,810
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
5,262,336
5,528,058
5,256,583
TO-247 Package Outline
1
5
10
50
100
.01
.1
1
10
50
0
50
100
150
200
250
300
350
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
15,000
10,000
5,000
1,000
500
200
100
50
10
5
1
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PDF描述
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