參數(shù)資料
型號: APT10M15JNR
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 100V V(BR)DSS | 140A I(D)
中文描述: 晶體管| MOSFET功率模塊|獨立| 100V的五(巴西)直|律目140A(丁)
文件頁數(shù): 1/2頁
文件大?。?/td> 93K
代理商: APT10M15JNR
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT10M25BNFR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-247AD
APT10M25BNR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-247AD
APT20M40DN TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | CHIP
APT3530DN TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | CHIP
APT3555DN TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 12A I(D) | CHIP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT10M19BVFR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT10M19BVFR_04 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS V FREDFET
APT10M19BVFRG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 75A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS V® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT10M19BVR 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MOSFET, TO247, 100V, 75A, .019 OHM - Bulk
APT10M19BVRG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 75A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS V® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件