參數(shù)資料
型號： APT10M09LVFR
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： JFETs
英文描述： 100 A, 100 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
封裝： TO-264, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 150K
代理商： APT10M09LVFR
050-5905
Rev
A
5-2004
APT10M09B2VFR_LVFR
V
DS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
V
DS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE10,MAXIMUMSAFEOPERATINGAREA
FIGURE11, CAPACITANCEvsDRAIN-TO-SOURCEVOLTAGE
Qg,TOTALGATECHARGE(nC)
V
SD, SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE12,GATECHARGEvsGATE-TO-SOURCEVOLTAGE
FIGURE13, SOURCE-DRAINDIODEFORWARDVOLTAGE
V
GS
,GATE-TO-SOURCE
VOLTAGE
(VOLTS)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
I DR
,REVERSE
DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
C
,CAPACITANCE
(pF)
1
10
100
0
10
20
30
40
50
0
100
200
300
400
500
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
400
100
50
10
5
1
16
12
8
4
0
10mS
1mS
100S
TC=+25°C
TJ=+150°C
SINGLE PULSE
OPERATIONHERE
LIMITEDBYRDS(ON)
TJ=+150°C
TJ=+25°C
Crss
Ciss
Coss
APT’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
5.45 (.215) BSC
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Drain
Source
Gate
These dimensions are equal to the TO-247 without the mounting hole.
Drain
2-Plcs.
19.51 (.768)
20.50 (.807)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
0.76 (.030)
1.30 (.051)
3.10 (.122)
3.48 (.137)
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
0.48 (.019)
0.84 (.033)
Drain
Source
Gate
Dimensions in Millimeters and (Inches)
Drain
2.29 (.090)
2.69 (.106)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5.45 (.215) BSC
2-Plcs.
Dimensions in Millimeters and (Inches)
T-MAXTM (B2) Package Outline (B2VFR)
TO-264 (L) Package Outline (LVFR)
30,000
10,000
1,000
100
200
100
10
1
VDS = 50V
VDS = 20V
VDS = 80V
I
D = 100A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT10M09B2VFR 100 A, 100 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT10M09LVFR 100 A, 100 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
APT10M09B2VFR 100 A, 100 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT10M11JVFR 144 A, 100 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT10M19BVFR 75 A, 100 V, 0.019 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT10M09LVFRG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A TO-264 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS V® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT10M09LVR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT10M11B2VFR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:High Voltage N-Channel enhancement mode power MOSFET
APT10M11B2VFRG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS V® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT10M11B2VR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
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