參數(shù)資料
型號(hào)： APT10M09B2VFR
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 100 A, 100 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TMAX-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 150K
代理商： APT10M09B2VFR
050-5905
Rev
A
5-2004
Typical Performance Curves
APT10M09B2VFR_LVFR
R
DS
(ON),
DRAIN-TO-SOURCE
ON
RESISTANCE
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
(NORMALIZED)
V
GS
(TH),
THRESHOLD
VOLTAGE
BV
DSS
,DRAIN-TO-SOURCE
BREAKDOWN
R
DS
(ON),
DRAIN-TO-SOURCE
ON
RESISTANCE
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
(NORMALIZED)
VOLTAGE
(NORMALIZED)
5V
6V
7V
8V
VGS =15V, 10V, & 9V
TJ = +125°C
TJ = +25°C
TJ = -55°C
VDS> ID (ON) x RDS (ON)MAX.
250 SEC. PULSE TEST
@ <0.5 % DUTY CYCLE
VGS=10V
VGS=20V
V
DS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 2, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
FIGURE3,LOW VOLTAGE OUTPUTCHARACTERISTICS
V
GS, GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I
D, DRAIN CURRENT (AMPERES)
FIGURE4, TRANSFERCHARACTERISTICS
FIGURE 5, R
DS(ON) vs DRAIN CURRENT
T
C, CASE TEMPERATURE (°C)
T
J, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
FIGURE6,MAXIMUMDRAINCURRENTvsCASETEMPERATURE
FIGURE7,BREAKDOWNVOLTAGEvsTEMPERATURE
T
J, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
T
C, CASE TEMPERATURE (°C)
FIGURE8,ON-RESISTANCEvs.TEMPERATURE
FIGURE9,THRESHOLDVOLTAGEvsTEMPERATURE
0
5
10
15
20
25
30
0
1
2
3
4
5
6
7
0
40
80
120
160
200
25
50
75
100
125
150
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
-50
-25
0
25
50
75 100 125 150
120
100
80
60
40
20
0
100
80
60
40
20
0
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
NORMALIZED TO
V
GS = 10V @ 50A
I
D = 50A
V
GS = 10V
350
300
250
200
150
100
50
0
1.40
1.30
1.20
1.10
1.00
0.90
0.80
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.0302
0.0729
0.0955
0.00809F
0.0182F
0.264F
Power
(watts)
Junction
temp. (
°C)
RC MODEL
Case temperature. (
°C)
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PDF描述
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