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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APT10GT60BR |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 20 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 67K |
| 代理商： | APT10GT60BR |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT10M11B2VR | 100 A, 100 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT10M11JVRU3 | 142 A, 100 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT10M11LVR | 100 A, 100 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
| APT10M11LVR | 100 A, 100 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
| APT11058JFLL | 18 A, 1100 V, 0.58 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT10GT60KR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB |
| APT10M07 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
| APT10M07JVFR | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 225A SOT-227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:POWER MOS V® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:* |
| APT10M07JVR | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 225A 4-Pin SOT-227 |
| APT10M09B2VFR | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS V FREDFET |
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