型號: | APT10GT60BR |
英文描述: | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-247AD |
中文描述: | 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五(巴西)國際消費電子展|甲一(c)|采用TO - 247AD |
文件頁數(shù): | 1/2頁 |
文件大小: | 93K |
代理商: | APT10GT60BR |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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APT10GT60KR | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB |
APT10M25SNR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB |
APT10M30BNFR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-247AD |
APT10M30BNR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-247AD |
APT20M21DN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | CHIP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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APT10GT60KR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB |
APT10M07 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
APT10M07JVFR | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 225A SOT-227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> FET 系列:POWER MOS V® 標準包裝:10 系列:* |
APT10M07JVR | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 225A 4-Pin SOT-227 |
APT10M09B2VFR | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS V FREDFET |