參數(shù)資料
型號(hào)： APT100GF60JU3
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 120 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOTOP-4
文件頁(yè)數(shù)： 5/9頁(yè)
文件大?。?/td> 447K
代理商： APT100GF60JU3
APT100GF60JU3
A
PT
100G
F60J
U
3–
R
ev
0
A
pr
il,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
5- 9
VGE = 15V
15
20
25
30
35
25
50
75
100
125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
td
(on)
,Tur
n-
O
n
De
la
yTi
m
e(
n
s
)
Turn-On Delay Time vs Collector Current
Tj = 25°C
VCE = 400V
RG = 5
VGE=15V,
TJ=25°C
VGE=15V,
TJ=125°C
50
100
150
200
250
25
50
75
100
125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
t
d
(o
ff
),
Tur
n-
O
ff
De
la
yTi
m
e
(
n
s
)
Turn-Off Delay Time vs Collector Current
VCE = 400V
RG = 5
VGE=15V,
TJ=125°C
0
20
40
60
80
25
50
75
100
125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
tr
,R
ise
T
im
e
(
n
s)
Current Rise Time vs Collector Current
VCE = 400V
RG = 5
TJ = 25°C
TJ = 125°C
0
20
40
60
80
25
50
75
100
125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
tf
,Fa
llTi
m
e(
n
s
)
Current Fall Time vs Collector Current
VCE = 400V, VGE = 15V, RG = 5
TJ=25°C,
VGE=15V
TJ=125°C,
VGE=15V
0
2
4
6
8
0
25
50
75
100
125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
E
on
,Tur
n-
O
n
E
n
e
rgy
Los
s(
m
J
)
Turn-On Energy Loss vs Collector Current
VCE = 400V
RG = 5
TJ = 25°C
TJ = 125°C
0
1
2
3
4
5
6
0
255075
100
125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
E
of
f,
Tur
n-
of
fE
n
er
gy
Los
s
(
m
J
)
Turn-Off Energy Loss vs Collector Current
VCE = 400V
VGE = 15V
RG = 5
Eon, 200A
Eoff, 200A
Eon, 100A
Eoff, 100A
Eon, 50A
Eoff, 50A
0
4
8
12
16
0
1020304050
Gate Resistance (Ohms)
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
S
w
it
c
h
ing
E
n
er
gy
Los
se
s
(m
J
)
VCE = 400V
VGE = 15V
TJ= 125°C
Eon, 200A
Eoff, 200A
Eon, 100A
Eoff, 100A
Eon, 50A
Eoff, 50A
0
2
4
6
8
10
0
255075
100
125
TJ, Junction Temperature (°C)
S
w
it
ch
ing
E
n
er
gy
Los
s
es
(
m
J
)
Switching Energy Losses vs Junction Temp.
VCE = 400V
VGE = 15V
RG = 5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT100GN60B2 229 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT100GN60B2G 229 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT100GN60B2 229 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT100GN60LDQ4 229 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
APT100GN60LDQ4G 229 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT100GF60LR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs.
APT100GLQ65JU2 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:升壓斬波器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:165A 功率 - 最大值:430W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.3V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:6.1nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
APT100GLQ65JU3 功能描述:IGBT 600V 100A 430W ISOTOP 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:單斬波器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:165A 功率 - 最大值:430W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.3V @ 15V，1000A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:6.1nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
APT100GN120B2 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Thunderbolt IGBT
APT100GN120B2G 功能描述:IGBT 1200V 245A 960W TMAX RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*