參數(shù)資料
型號(hào)： APT10050B2VR
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： JFETs
英文描述： 21 A, 1000 V, 0.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： CLIP MOUNTED TO-247, TMAX-3
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 59K
代理商： APT10050B2VR
V
DS
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
V
DS
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 10, MAXIMUM SAFE OPERATING AREA
FIGURE 11, TYPICAL CAPACITANCE vs DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
SD
, SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 12, GATE CHARGES vs GATE-TO-SOURCE VOLTAGE
FIGURE 13, TYPICAL SOURCE-DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
V
GS
,GATE-TO-SOURCE
VOLTAGE
(VOLTS)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
I DR
,REVERSE
DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
C,
CAPACITANCE
(pF)
1
5
10
50 100
500 1000
.01
.1
1
10
50
0
100
200
300
400
500
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
APT10050B2VR
TC =+25°C
TJ =+150°C
SINGLE PULSE
100
50
10
5
1
.5
.1
20
16
12
8
4
0
30,000
10,000
5,000
1,000
500
100
50
10
5
1
050-5614
Rev
B
OPERATION HERE
LIMITED BY RDS (ON)
10
S
100
S
1mS
10mS
100mS
DC
TJ =+150°C
TJ =+25°C
VDS=500V
VDS=200V
VDS=100V
APT's devices are covered by one or more of the following U.S.patents: 4,895,810
5,045,903
5,089,434
5,182,234
5,019,522
5,262,336
5,256,583
4,748,103
5,283,202
5,231,474
5,434,095
5,528,058
Crss
Coss
Ciss
I
D
= I
D
[Cont.]
T-MAX Package Outline 5
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
5.45 (.215) BSC
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Drain
Source
Gate
Dimensions in Millimeters and (Inches)
Drain
2-Plcs.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT10050FN 22.5 A, 1000 V, 0.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT10050JFLC 19 A, 1000 V, 0.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT10050JVFR 19 A, 1000 V, 0.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT10050JVFR 19 A, 1000 V, 0.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT10050JVR 19 A, 1000 V, 0.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT10050B2VRG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 21A T-MAX RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS V® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT10050CFN 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)DSS | 24.5A I(D)
APT10050FN 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 22.5A I(D) | SIP-TAB
APT10050JLC 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT10050JN 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
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