參數(shù)資料
型號： APT10045LLL
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： JFETs
英文描述： 23 A, 1000 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
封裝： TO-264, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大小： 92K
代理商： APT10045LLL
APTGT30TL60T3G
APT
G
T
30T
L
60T
3G
–
Rev0
M
ar
ch,
2009
www.microsemi.com
5- 7
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
TJ=150°C
0
10
20
30
40
50
60
00.511.5
2
2.5
3
VCE (V)
I C
(A)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=13V
VGE=19V
VGE=9V
0
10
20
30
40
50
60
00.5
11.522.5
3
3.5
VCE (V)
I C
(A)
TJ = 150°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=150°C
0
10
20
30
40
50
60
56
78
9
10
11
12
VGE (V)
I C
(A)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
0
0.5
1
1.5
2
0
10
2030
4050
60
IC (A)
E
(m
J
)
VCE = 300V
VGE = 15V
RG = 10
TJ = 150°C
Eon
Eoff
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
102030
40506070
Gate Resistance (ohms)
E
(m
J
)
VCE = 300V
VGE =15V
IC = 30A
TJ = 150°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Bias Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
60
70
0
100
200
300
400
500
600
700
VCE (V)
I C
(A)
VGE=15V
TJ=150°C
RG=10
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration in Seconds
T
h
erm
a
lI
m
pedance
(°
C/
W)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT10045B2LL 23 A, 1000 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT10045B2LL 23 A, 1000 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT10045LLL 23 A, 1000 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
APT10045LLLG 23 A, 1000 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
APT1004R4AN 3.5 A, 1000 V, 4.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT10045LLLG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 23A TO-264 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT1004R2AN 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-3
APT1004R2BN 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
APT1004R2CN 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 3.3A I(D) | TO-254ISO
APT1004R2GN 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-257ISO
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