參數(shù)資料
型號: APT1003R5DN
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 4.5A I(D) | CHIP
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 1KV交五(巴西)直| 4.5AI(四)|芯片
文件頁數(shù): 2/2頁
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代理商: APT1003R5DN
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT1003R5GN TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220HERM
APT10050CFN TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)DSS | 24.5A I(D)
APT10050FN TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 22.5A I(D) | SIP-TAB
APT10053LNR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-264AA
APT10M13JNR TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 100V V(BR)DSS | 150A I(D)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT1003R5GN 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220HERM
APT1003RBFLL 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 FREDFET
APT1003RBFLLG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT1003RBLL 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 MOSFET
APT1003RBLLG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件