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參數(shù)資料
| 型號： | APT1002RBNR-GULLWING |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 7 A, 1000 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| 封裝： | TO-247, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 79K |
| 代理商： | APT1002RBNR-GULLWING |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT1002RBNR-BUTT | 7 A, 1000 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT1002R4BNR-GULLWING | 6.5 A, 1000 V, 2.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT1002RBNR | 7 A, 1000 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
| APT1002R4BNR | 6.5 A, 1000 V, 2.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
| APT1002RCN | 5.5 A, 1000 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT1002RCN | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
| APT1002RDN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | CHIP |
| APT10030L2VFR | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
| APT10030L2VFR_04 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
| APT10030L2VFRG | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER FREDFET - MOS5 - Rail/Tube 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER FREDFET TRANSISTOR |
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